国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“MOSFET器件及其形成方法”的专利，公开号CN121335155A摩根证券，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种MOSFET器件及其形成方法。所述MOSFET器件包括：衬底，包括沿第一方向相对分布的正面和背面；阱区，位于衬底内摩根证券，阱区中包括第一掺杂元素；隔离结构，位于衬底内且分布于阱区的侧面；阻挡层，位于阱区与隔离结构之间，阻挡层用于阻挡阱区中的第一掺杂元素向隔离结构扩散。本发明减少甚至是避免了阱区中的第一掺杂元素向隔离结构扩散迁移，且本发明在形成隔离结构以及阻挡层之后再向衬底内注入第一掺杂元素来形成阱区，从而在形成阱区的过程中也能够有效的阻挡第一掺杂元素向隔离结构的扩散。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年摩根证券，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1943次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1327条，此外企业还拥有行政许可200个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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